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TMR- und TAMR-Effekt an (Ga,Mn)As und GaAs Tunnelstrukturen

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-13597

Brinkmeier, Eva (2009) TMR- und TAMR-Effekt an (Ga,Mn)As und GaAs Tunnelstrukturen. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

In dieser Arbeit wurden GaAs beziehungsweise (Ga,Mn)As basierte Tunnelstrukturen hinsichtlich des Tunnelmagnetowiderstand (TMR) und anisotropen Tunnelmagnetowiderstand (TAMR) Effekts untersucht. Dabei wird das Hauptaugenmerk auf den relativ neu entdeckten TAMR-Effekt gelegt, welcher eine Abhängigkeit des Tunnelwiderstands von der Orientierung der Magnetisierungsrichtung ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

This thesis is concerned with the experimental investigation of the tunnel magnetoresistance (TMR) and tunnel anistropic magnetoresistance (TAMR) in GaAs and (Ga,Mn)As tunnel junction. A special emphasis was put on the study of the newly discovered TAMR effect, which consists in the variation of the TMR with the magnetization�s angle. The tunnel junctions were fabricated by means of optical ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:22 September 2009
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dieter Weiss
Tag der Prüfung:30 Juli 2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Stichwörter / Keywords:Tunnelmagnetowiderstand , Magnetismus , Magnetischer Halbleiter , GaMnAs , GaAs , TAMR , GaMnAs , GaAs , TAMR
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:18 Jan 2010 14:10
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:39
Dokumenten-ID:12336
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