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Quantitative modeling of the annealing-induced changes of the magnetotransport in Ga1−xMnxAs alloys

Michel, C. und Baranovskii, S. D und Thomas, P. und Heimbrodt, W und Elm, M. T. und Klar, P. J. und Goldlücke, B. und Wurstbauer, Ursula und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2007) Quantitative modeling of the annealing-induced changes of the magnetotransport in Ga1−xMnxAs alloys. Journal of Applied Physics 102 (7), 073712.

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Zusammenfassung

We study the changes of magnetoresistance induced by controlled thermal annealing at temperatures ranging from 300 to 600 °C of a Ga0.98Mn0.02As alloy grown by low-temperature molecular beam epitaxy. We use a resistor-network model for describing the electrical transport as a function of temperature and external magnetic field. The model is founded on classical semiconductor band transport and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 Oktober 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2786556DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/102/073712/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.20.My; 72.80.Ey; 75.50.Pp; 75.20.CkPACS
Stichwörter / Keywords:annealing, electronic density of states, gallium arsenide, gallium compounds, III-V semiconductors, magnetoresistance, manganese compounds, paramagnetic materials, semimagnetic semiconductors, Zeeman effect
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:51
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:42
Dokumenten-ID:12489
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