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TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures

Ciorga, Mariusz und Schlapps, Markus und Einwanger, Andreas und Geißler, Stefan und Sadowski, Janusz und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2007) TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures. New Journal of Physics 9, S. 351.

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Zusammenfassung

We discuss the results of our experiments on tunnel devices based on (Ga,Mn)As structures. Those include p+-(Ga, Mn)As/n+-GaAs Esaki diodes and laterally defined narrow nanoconstrictions in (Ga,Mn)As epilayers. We found in those structures strong anisotropic magnetoresistance behaviour with features that could be attributed to the novel tunnelling anisotropic magnetoresistance effect. We argue ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:28 September 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/1367-2630/9/9/349DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:55
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:42
Dokumenten-ID:12493
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