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TAMR effect in (Ga,Mn)As-based tunnel structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-124932
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.12493
Ciorga, Mariusz ; Schlapps, Markus ; Einwanger, Andreas ; Geißler, Stefan ; Sadowski, Janusz ; Wegscheider, Werner ; Weiss, Dieter
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jan 2010 13:55


Zusammenfassung

We discuss the results of our experiments on tunnel devices based on (Ga,Mn)As structures. Those include p+-(Ga, Mn)As/n+-GaAs Esaki diodes and laterally defined narrow nanoconstrictions in (Ga,Mn)As epilayers. We found in those structures strong anisotropic magnetoresistance behaviour with features that could be attributed to the novel tunnelling anisotropic magnetoresistance effect. We argue ...

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