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Hole-density dependence of the cyclotron mass of 2D holes in a GaAs(001) quantum well

Khannanov, M. N. und Kukushkin, I. V. und Gubarev, S. I. und Smet, J. H. und Klitzing, Klaus von und Wegscheider, Werner und Gerl, Christian (2007) Hole-density dependence of the cyclotron mass of 2D holes in a GaAs(001) quantum well. JETP Letters 85 (5), S. 242-245.

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Zusammenfassung

The dependence of the heavy-hole cyclotron mass in GaAs(001) quantum wells on the 2D-hole density has been measured by the optical detection method for resonance microwave by-absorption. A significant increase (almost doubling) has been observed in the cyclotron mass of heavy holes with an increase in the charge carrier density from 1.2 × 1010 cm−2 to 1.3 × 1011 cm−2.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1134/S0021364007050050DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.35.Cc, 78.66.FdPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:57
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:42
Dokumenten-ID:12497
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