Startseite UR

Transport properties in n-type AlGaN/AlN/GaN-superlattices

Hertkorn, J. und Brückner, P. und Gao, C. und Scholz, Ferdinand und Chuvilin, A. und Kaiser, U. und Wurstbauer, Ursula und Wegscheider, Werner (2008) Transport properties in n-type AlGaN/AlN/GaN-superlattices. physica status solidi (c) 5 (6), S. 1950-1952.

[img]PDF
Download (147kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

In order to improve the lateral conductivity in optoelectronic devices, we have investigated Si-doped AlGaN/AlN/GaN-superlattices. As a first step we performed calculations of the band structure of Al-GaN/AlN/GaN modulation doped multi heterostructures. Based on these results we worked on optimizing the growth of low Al content (xAl 20%) superlattices by MOVPE. Several tens of abrupt and graded ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssc.200778514DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.21.Cd, 73.40.Kp, 73.61.Ey, 81.05.Ea, 81.15.KkPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 14:01
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:42
Dokumenten-ID:12501
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner