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Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures

Rossler, C. und Bichler, Max und Schuh, Dieter und Wegscheider, Werner und Ludwig, S. (2008) Laterally defined freely suspended quantum dots in GaAs/AlGaAs heterostructures. Nanotechnology 19 (16), S. 165201.

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Zusammenfassung

Free-standing beams containing a two-dimensional electron system are shaped from a GaAs/AlGaAs heterostructure. Quantum point contacts and (double) quantum dots are laterally defined using metal top gates. We investigate the electronic properties of these nanostructures by transport spectroscopy. Tunable localized electron states in freely suspended nanostructures are a promising tool to investigate the electron–phonon interaction.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:23 April 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1088/0957-4484/19/16/165201DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 14:03
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:43
Dokumenten-ID:12508
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