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Quantum dots formed in a GaAs/AlGaAs quantum ring

Mühle, A. und Wegscheider, Werner und Haug, Rolf J. (2008) Quantum dots formed in a GaAs/AlGaAs quantum ring. Applied Physics Letters 92 (1), 013126.

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Zusammenfassung

We demonstrate the tunability of a GaAs/AlGaAs quantum ring showing coherent Aharonov-Bohm oscillations up to a gate voltage regime where the ring splits into three quantum dots. This is explained based on the structure's special confinement potential. We characterized the dots by analyzing the corresponding sets of Coulomb blockade lines. Additionally, the spatial configuration of the dots was confirmed by charge measurements using an adjacent quantum point contact.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:10 Januar 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2833694DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/013126/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.21.La; 73.63.Kv; 73.23.HkPACS
Stichwörter / Keywords:Aharonov-Bohm effect, aluminium compounds, Coulomb blockade, gallium arsenide, III-V semiconductors, quantum point contacts, semiconductor quantum dots
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:01 Feb 2010 13:10
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:48
Dokumenten-ID:12638
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