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InSitu Reduction of Charge Noise in GaAs/AlxGa1-xAs Schottky-Gated Devices

Buizert, Christo und Koppens, Frank H. L. und Pioro-Ladrière, Michel und Tranitz, Hans-Peter und Vink, Ivo T. und Tarucha, Seigo und Wegscheider, Werner und Vandersypen, Lieven M. K. (2008) InSitu Reduction of Charge Noise in GaAs/AlxGa1-xAs Schottky-Gated Devices. Physical Review Letters 101 (22), S. 226603.

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Zusammenfassung

We show that an insulated electrostatic gate can be used to strongly suppress ubiquitous background charge noise in Schottky-gated GaAs/AlGaAs devices. Via a 2D self-consistent simulation of the conduction band profile we show that this observation can be explained by reduced leakage of electrons from the Schottky gates into the semiconductor through the Schottky barrier, consistent with the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:28 November 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.101.226603DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevLett.101.226603Verlag
Klassifikation:
NotationArt
85.30.−z, 72.20.Jv, 72.70.+m, 73.23.−bPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:01 Feb 2010 13:16
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:47
Dokumenten-ID:12644
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