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Electric-field-induced reversible avalanche breakdown in a GaAs microcrystal due to cross band gap impact ionization

Klappenberger, Florian und Renk, Karl Friedrich und Summer, Raimund Franz und Keldysh, Leonid und Rieder, Bernhard und Wegscheider, Werner (2003) Electric-field-induced reversible avalanche breakdown in a GaAs microcrystal due to cross band gap impact ionization. Applied Physics Letters 83 (4), S. 704-706.

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Zusammenfassung

We report on a reversible avalanche breakdown due to free-carrier multiplication caused by cross band gap impact ionization in a GaAs microcrystal. The n GaAs microcrystal (length 1 µm, diameter 1 µm) was embedded between n+ GaAs layers serving as electric contacts. We guided an electric pulse to the sample and determined, from the reflected and transmitted pulse, the I(V) characteristic. The ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:28 Juli 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1595712DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/83/704/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.20.Ht; 77.22.Jp; 72.80.Ey; 72.60.+g; 72.20.JvPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, impact ionisation, avalanche breakdown, III-V semiconductors, electrical conductivity transitions, semiconductor switches, Gunn effect, electron-hole recombination
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:21
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12742
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