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Growth and subband structure determination of high mobility hole gases on (0 0 1) and (1 1 0) GaAs

Gerl, Christian und Bauer, J. und Wegscheider, Werner (2007) Growth and subband structure determination of high mobility hole gases on (0 0 1) and (1 1 0) GaAs. Journal of Crystal Growth 301-30, S. 145-147.

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Zusammenfassung

We introduce high mobility two-dimensional hole systems (2DHSs) in AlGaAs/GaAs heterosystems grown by molecular beam epitaxy (MBE). Utilizing a carbon filament source, two-dimensional hole gases (2DHGs) were fabricated on the (0 0 1) and (1 1 0) crystal plan. These samples exhibit low-temperature mobilities beyond 106 cm2/V s at densities varying from 0.6 to 2.3×1011 cm−2. In order to explore the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.096DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.80.Ey; 73.21.Fg; 73.23.Ad; 73.43.QtPACS
Stichwörter / Keywords:A1. Low-dimensional structures; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting galliumarsenide; B3. Heterojunction semiconductor devices
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:24
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12746
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