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GaMnAs grown on (0 0 1), (3 1 1) A and (1 1 0) GAaS substrates: Comparison of growth conditions and post-growth annealing behaviour

Wurstbauer, Ursula und Sperl, Matthias und Schuh, Dieter und Bayreuther, Günther und Sadowski, Janusz und Wegscheider, Werner (2007) GaMnAs grown on (0 0 1), (3 1 1) A and (1 1 0) GAaS substrates: Comparison of growth conditions and post-growth annealing behaviour. Journal of Crystal Growth 301-30, S. 260-263.

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Zusammenfassung

Thin GaMnAs layers were grown by low temperature molecular beam epitaxy on (0 0 1), (3 1 1) A and (1 1 0) GaAs substrates. In an effort to increase the ferromagnetic transition temperature TC, we studied growth conditions and the effectiveness of post-growth annealing under an arsenic capping layer and in air. Avoiding As antisite defects with a small As to Ga flux ratio during MBE growth and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2006.11.197DOI
Stichwörter / Keywords:A3. Molecular beam epitaxy; B1. GaMnAs; B2. Semiconducting III–IV materials; B3. Spintronic devices
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:24
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12747
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