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Fabrication of single crystal GaAs(001) barriers for magnetic tunnel junctions

Kreuzer, Stephan und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2001) Fabrication of single crystal GaAs(001) barriers for magnetic tunnel junctions. Journal of Applied Physics 89 (11), S. 6751-6753.

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Zusammenfassung

A preparation method for magnetic tunnel junctions with single crystal GaAs(001) barriers is demonstrated. The method is based on an epoxy bond and stop etch technique and does not require epitaxial growth of a semiconductor on top of a metal. Stable GaAs tunnel barriers down to 6 nm in thickness were prepared. The I–V measurements show a pronounced nonlinearity. Their variation with temperature ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 Juni 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1359219DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/89/6751/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.05.Ea; 75.70.Cn; 85.75.Dd; 81.65.Cf; 68.65.Cd; 81.15.HiPACS
Stichwörter / Keywords:III-V semiconductors, gallium arsenide, semiconductor growth, magnetic multilayers, tunnelling, etching, semiconductor superlattices, molecular beam epitaxial growth
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:29
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12752
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