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Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers

Schwarz, Ulrich und Sturm, Evi und Wegscheider, Werner und Kümmler, V. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Optical gain, carrier-induced phase shift, and linewidth enhancement factor in InGaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 83 (20), 4095 .

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Zusammenfassung

Adapting the Hakki Paoli method to group III nitrides, we measure gain, differential gain, carrier-induced change of refractive index, carrier-induced phase shift, and the antiguiding factor. Our measurements also cover the low-carrier-density regime, in which spontaneous and piezoelectric fields and Coulomb interaction are only partially screened. This regime is most interesting as a comparison with existing theoretical simulations, including many-body effects.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:17 November 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1628825DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/83/4095/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 78.20.Ci; 85.35.Be; 78.67.DePACS
Stichwörter / Keywords:refractive index, quantum well lasers, spectral line breadth, indium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, semiconductor quantum wells
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:42
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12754
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