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Giant anisotropic magnetoresistance in insulating ultrathin (Ga,Mn)As

Gareev, Rashid und Petukhov, A. und Schlapps, Markus und Sadowski, Janusz und Wegscheider, Werner (2010) Giant anisotropic magnetoresistance in insulating ultrathin (Ga,Mn)As. Applied Physics Letters 96, 052114.

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Zusammenfassung

Molecular-beam epitaxy grown, 5 nm thick annealed Ga0.95Mn0.05As films demonstrate transition from metallic to insulating state for sheet resistances near resistance quantum, which we connect with the two-dimensional hole localization. Below the metal-insulator transition we found the giant anisotropic magnetoresistance (GAMR) effect, which depends on the orientation of magnetization to ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:4 Februar 2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3309683 DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.20.MyPACS
75.47.DePACS
75.30.GwPACS
75.60.EjPACS
71.30.+hPACS
Stichwörter / Keywords: crystal orientation, electric resistance, gallium arsenide, giant magnetoresistance, magnetic anisotropy, magnetisation, manganese compounds, metal-insulator transition, molecular beam epitaxial growth, semimagnetic semiconductors, spin-orbit interactions
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:18 Feb 2010 14:19
Zuletzt geändert:06 Jul 2010 11:40
Dokumenten-ID:13022
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