Startseite UR

New relaxation mechanism in short period strained-layer superlattices

Wegscheider, Werner und Eberl, Karl und Abstreiter, Gerhard und Cerva, Hans und Oppolzer, Helmut (1990) New relaxation mechanism in short period strained-layer superlattices. In: Sinclair, Robert, (ed.) High resolution electron microscopy of defects in materials: symposium held April 16.-18., 1990, San Francisco, California, USA. Materials Research Society symposium proceedings, 183. Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 155. ISBN 1-558-99072-0.

Im Publikationsserver gibt es leider keinen Volltext zu diesem Eintrag.


Zusammenfassung

High quality Si/Ge strained-layer superlattices composed of a sequence of alternating 3 monolayers pure Si and 9 monolayers pure Ge have been grown by molecular beam epitaxy at 310 0 C on Ge(001) substrates. In order to investigate the transition from coherent to incoherent growth in these tensily strained structures a set of samples with varying number of superlattice periods has been studied by ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1990
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Mrz 2010 13:34
Zuletzt geändert:02 Mrz 2010 13:34
Dokumenten-ID:13196
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner