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Electronic properties of AFM-defined semiconductor nanostructures

Lüscher, Silvia und Held, Ryan und Fuhrer, Andreas und Heinzel, Thomas und Ensslin, Klaus und Bichler, Max und Wegscheider, Werner (2001) Electronic properties of AFM-defined semiconductor nanostructures. Materials Science and Engineering C 15 (1-2), S. 153-157.

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Zusammenfassung

The quest for even smaller and better-controlled semiconductor nanostructures calls for improved nanofabrication techniques. We succeeded in patterning metallic and semiconducting nanostructures by using local oxidation-mediated via a voltage between a conducting surface and a close-by tip of an atomic force microscope (AFM). In particular, we were able to control the electronic properties of ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:20 August 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/S0928-4931(01)00253-3DOI
Stichwörter / Keywords:Semiconductor nanostructures; Nanofabrication
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Mrz 2010 13:47
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 13:01
Dokumenten-ID:13198
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