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Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field

Wegscheider, Werner und Eberl, Karl und Abstreiter, Gerhard und Cerva, Hans und Oppolzer, Helmut (1991) Comparison of Growth and Strain Relaxation of Si/Ge Superlattices under Compressive and Tensile Strain Field. In: Bean, John Condon, (ed.) Silicon molecular beam epitaxy: symposium held April 29- May 3, 1991, Anaheim, California, USA. Materials Research Society symposium proceedings, 220. Materials Research Society, Pittsburgh, Pennsylvania, USA, S. 135. ISBN 1-558-99114-X.

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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1991
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Mrz 2010 13:46
Zuletzt geändert:02 Mrz 2010 13:46
Dokumenten-ID:13199
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