Startseite UR

Spin-Photocurrent in p-SiGe quantum wells under terahertz laser irradiation

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.1333
Belkov, Vassilij ; Ganichev, Sergey ; Schneider, Petra ; Schowalter, D. ; Rössler, Ulrich ; Prettl, Wilhelm ; Ivchenko, E. ; Neumann, Richard ; Brunner, K. ; Abstreiter, Gerhard
[img]PDF
(74kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:27


Zusammenfassung

A detailed study of the circular photogalvanic effect (CPGE) in SiGe structures is presented. It is shown that the CPGE becomes possible because of the built-in asymmetry of quantum wells (QWs) in compositionally stepped samples and in asymmetrically doped structures. The photocurrent arises due to optical spin orientation of free carriers in QWs with spin splitting in k-space. It is shown that ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner