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Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells

Wilamowski, Zbyslaw und Jantsch, Wolfgang und Malissa, Hans und Rössler, Ulrich (2002) Evidence and evaluation of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells. Physical Review B 66 (19), S. 195315.

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Zusammenfassung

From spin resonance of two-dimensional (2D) conduction electrons in a modulation doped SiGe/Si/SiGe quantum well structure we find a 2D anisotropy of both the line broadening (dephasing time) and the g factor. Both can be explained consistently employing the Bychkov-Rashba (BR) term H_BR = alpha(k×sigma)·ez, which turns out here to be the dominant coupling between electron orbital motion and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:November 2002
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.66.195315DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:51
Dokumenten-ID:1347
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