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Strong localization effect in magnetic two-dimensional hole systems

Wurstbauer, Ursula und Knott, S. und Zolotaryov, A. und Schuh, Dieter und Hansen, W. und Wegscheider, Werner (2010) Strong localization effect in magnetic two-dimensional hole systems. Applied Physics Letters 96, S. 22103.

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Zusammenfassung

We report an extensive study of the magnetotransport properties of magnetically doped two-dimensional hole systems. Inverted manganese modulation doped InAs quantum wells with localized manganese ions providing a magnetic moment of S = 5/2 were grown by molecular beam epitaxy. Strong localization effect found in low-field magnetotransport measurements on these structures can either be modified by ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:12 Januar 2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3291673DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.20.MyPACS
75.30.CrPACS
61.72.U-PACS
81.07.StPACS
81.15.HiPACS
Stichwörter / Keywords:galvanomagnetic effects, III-V semiconductors, indium compounds, magnetic moments, manganese, molecular beam epitaxial growth, semiconductor doping, semiconductor quantum wells
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:19 Mrz 2010 07:57
Zuletzt geändert:19 Mrz 2010 07:57
Dokumenten-ID:13619
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