Crossing of Landau levels of conduction and valence subbands in an inverted HgTe/CdTe quantum well

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:: 10.5283/epub.1374

Schultz, M. ; Merkt, U. ; Sonntag, A. ; Rössler, Ulrich ; Colin, T. ; Helgesen, P. ; Skauli, T. ; Lovold, S.

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:28

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Zusammenfassung

In the inverted-band regime of HgTe/CdTe quantum wells, the lowest Landau level of the lowest conduction subband and the highest Landau level of the topmost valence subband are predicted to cross at a critical magnetic field B$_{c}$. We study this crossing experimentally with far-infrared Fourier-transform spectroscopy in a gated HgTe/CdTe quantum well with tunable electron density. The crossing ...