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Crossing of Landau levels of conduction and valence subbands in an inverted HgTe/CdTe quantum well

Schultz, M. und Merkt, U. und Sonntag, A. und Rössler, Ulrich und Colin, T. und Helgesen, P. und Skauli, T. und Lovold, S. (1998) Crossing of Landau levels of conduction and valence subbands in an inverted HgTe/CdTe quantum well. Physical Review B 57 (23), S. 14772-14775.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/abstract/PRB/v57/p14772


Zusammenfassung

In the inverted-band regime of HgTe/CdTe quantum wells, the lowest Landau level of the lowest conduction subband and the highest Landau level of the topmost valence subband are predicted to cross at a critical magnetic field B$_{c}$. We study this crossing experimentally with far-infrared Fourier-transform spectroscopy in a gated HgTe/CdTe quantum well with tunable electron density. The crossing ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juni 1998
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.57.14772DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:53
Dokumenten-ID:1374
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