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Global band structure and near-band edge states

Wellenhofer, G. und Rössler, Ulrich (1997) Global band structure and near-band edge states. Physica Status Solidi (B) 202 (1), S. 107-123.

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Zusammenfassung

The global band structure from ab-initio calculations using DFT-LDA concepts is presented and discussed for 2H, 3C, 4H, 6H, and 15R SiC in view of the different stacking sequences and point lattices of these polytypes. Details of the conduction and valence band structure close to the band edges are described by using {\bf k·p} models and thermal density-of-states effective masses are calculated.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1997
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/1521-3951(199707)202:1<107::AID-PSSB107>3.0.CO;2-9DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:53
Dokumenten-ID:1393
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