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Pressure dependence of the electronic band gap in 6H-SiC

Engelbrecht, F. und Zeman, J. und Wellenhofer, G. und Peppermüller, C. und Helbig, R. und Martinez, G. und Rössler, Ulrich (1996) Pressure dependence of the electronic band gap in 6H-SiC. Physica Status Solidi (B) 198 (1), S. 81-86.

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Zusammenfassung

Photoluminescence experiments on 6H-SiC doped with nitrogen have been performed at low temperature (T = (29 ± 2) K) under hydrostatic pressure up to 5 GPa. The pressure coefficients of the S0, R0, P0, S02, and R02 emission lines related to the neutral nitrogen donor bound excitons were determined. The pressure coefficient of the indirect gap of 6H-Sic deduced from the P0 line turns out to be +2.0 ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1996
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Rössler
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssb.2221980111DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:28
Dokumenten-ID:1396
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