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Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001)

Bach, P. und Bader, A.S. und Ruster, C. und Gould, C. und Becker, C.R. und Schmidt, G. und Molenkamp, L.W. und Weigand, W. und Kumpf, C. und Umbach, E. und Urban, R. und Woltersdorf, Georg und Heinrich, B. (2003) Molecular-beam epitaxy of the half-Heusler alloy NiMnSb on (In,Ga)As/InP (001). Applied Physics Letters 83 (3), S. 521-523.

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Zusammenfassung

We report the growth of the half-Heusler alloy NiMnSb on InP (001) by molecular-beam epitaxy using a lattice-matched (In,Ga)As buffer. High-resolution x-ray diffraction confirms a high crystalline quality. Spot-profile analysis low-energy electron diffraction measurements show well-defined surface reconstructions. The samples show the expected high Curie temperature and an uniaxial anisotropy.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Juli 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Themenverbund:Nicht ausgewählt
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1594286DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:19 Jul 2010 13:05
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 13:26
Dokumenten-ID:14945
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