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Tunneling magnetoresistance: The relevance of disorder at the interface

Wimmer, Michael und Richter, Klaus (2005) Tunneling magnetoresistance: The relevance of disorder at the interface. In: Menéndez, José, (ed.) Physics of semiconductors Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors; ICPS-27; Flagstaff, Arizona, 26 - 30 July 2004. AIP conference proceedings, 772. American Institute of Physics, Melville, NY, S. 1375. ISBN 0-7354-0257-4.

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Zusammenfassung

The effect of disorder on the tunneling magnetoresistance (TMR) of a semiconductor tunnel barrier is investigated using a single-band model including elastic scattering. We find that disorder can decrease the TMR ratio significantly. Furthermore, we show that impurities close to the barrier interface are most effective in reducing the TMR ratio.


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:2005
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Klaus Richter
Projekte:Graduiertenkolleg Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:28 Apr 2016 13:27
Dokumenten-ID:1547
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