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Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier

Perel', V. und Tarasenko, S. und Yassievich, I. und Ganichev, Sergey und Belkov, Vassilij und Prettl, Wilhelm (2003) Spin-dependent tunneling through a symmetric semiconductor barrier. Physical Review B 67 (20), S. 201304.

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Andere URL zum Volltext: http://prola.aps.org/abstract/PRB/v67/i20/e201304


Zusammenfassung

The problem of electron tunneling through a symmetric semiconductor barrier based on zinc-blende-structure material is studied. The k3 Dresselhaus terms in the effective Hamiltonian of bulk semiconductor of the barrier are shown to result in a dependence of the tunneling transmission on the spin orientation. The difference of the transmission probabilities for opposite spin orientations can achieve several percents for the reasonable width of the barriers.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Projekte:Graduiertenkolleg Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.67.201304DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:59
Dokumenten-ID:1624
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