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Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs

Schmult, Stefan und Gerl, Christian und Wurstbauer, Ursula und Mitzkus, C. und Wegscheider, Werner (2005) Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases on (110) faced GaAs. Applied Physics Letters 86, S. 202105.

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Zusammenfassung

Carbon-doped high mobility two-dimensional hole gases grown on (110) oriented GaAs substrates have been grown with hole mobilities exceeding 10^6 cm^2/Vs in single heterojunction GaAs/AlGaAs structures. At these high mobilities, a pronounced mobility anisotropy has been observed. Rashba induced spin-splitting in these asymmetric structures has been found to be independent on the transport direction.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2005
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:Graduiertenkolleg Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1926409DOI
cond-mat/0503323arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0503323Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 09:59
Dokumenten-ID:1626
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