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Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs

Gerl, Christian und Schmult, S. und Tranitz, H. und Mitzkus, C. und Wegscheider, Werner (2005) Carbon doped symmetric GaAs/AlGaAs quantum wells with hole mobilities beyond 10^6 cm^2/Vs. Applied Physics Letters 86, S. 252105.

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Zusammenfassung

Utilizing a carbon filament doping source, we prepared two-dimensional hole gases in a symmetric quantum well structure in the GaAs/AlGaAs heterosystem. Low temperature hole mobilities up to 1.2 x 10^6 cm^2/Vs at a density of 2.3 x 10^11 cm^-2 were achieved on GaAs (001) substrates. In contrast to electron systems, the hole mobility sensitively depends on variations of the quantum well width and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2005
Institutionen:Nicht ausgewählt
Projekte:Graduiertenkolleg Nichtlinearität und Nichtgleichgewicht
Identifikationsnummer:
WertTyp
cond-mat/0501492arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0501492Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:30
Dokumenten-ID:1627
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