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Fractional quantum Hall effect in CdTe

Piot, B.A. und Kunc, J. und Potemski, M. und Maude, D.K. und Betthausen, Christian und Vogl, Anton und Weiss, Dieter und Karczewski, G. und Wojtowicz, T. (2010) Fractional quantum Hall effect in CdTe. Physical Review B (PRB) 82 (8), 081307-1.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.82.081307


Zusammenfassung

The fractional quantum Hall (FQH) effect is reported in a high mobility CdTe quantum well at millikelvin temperatures. Fully developed FQH states are observed at filling factor 4/3 and 5/3 and are found to be both spin-polarized ground state for which the lowest energy excitation is not a spin flip. This can be accounted for by the relatively high intrinsic Zeeman energy in this single valley ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:12 August 2010
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.82.081307DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.43.Qt, 73.40.Lq, 73.43.Lp PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:08 Sep 2010 08:16
Zuletzt geändert:24 Feb 2015 15:35
Dokumenten-ID:16520
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