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FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors

Ganichev, Sergey und Prettl, Wilhelm (1994) M8.6. FIR tunnel ionization of deep impurities in semiconductors. In: Sakai, K. und Yoneyama, T., (eds.) Conference digest / The 19th International Conference on Infrared and Millimeter Waves, October 17 - 20, 1994, Sendai International Center, Sendai, Japan. Sendai, Japan.

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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1994
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):sponsored by the Japan Society of Applied Physics
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:04 Okt 2010 12:23
Zuletzt geändert:23 Nov 2012 06:41
Dokumenten-ID:16942
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