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Effect of impact ionization on the saturation of 1s→2p+ shallow donor transition in n-GaAs

Weispfenning, M. und Zach, F. und Prettl, Wilhelm (1989) Effect of impact ionization on the saturation of 1s→2p+ shallow donor transition in n-GaAs. International Journal of Infrared and Millimeter Waves 9 (12), S. 1153-1171.

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Zusammenfassung

The magneto-photoconductivity due to 1s-2p+ optical transitions of shallow donors in n-GaAs has been investigated as a function of intensity for several bias voltages at low temperatures between 2K and 4.2 K. At low intensities a superlinear increase of the photoconductive signal with rising intensity has been observed which gets more pronounced at higher bias voltages and lower temperatures. The ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1007/BF01009307DOI
Stichwörter / Keywords:shallow donors - nonlinear magneto-photoconductivity - saturation - impact ionization
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 11:58
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 14:08
Dokumenten-ID:17349
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