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High-speed optical detection up to 2.5 Gbit/s with a double polysilicon self-aligned silicon bipolar transistor

Bock, W. und Treitinger, L. und Prettl, Wilhelm (1988) High-speed optical detection up to 2.5 Gbit/s with a double polysilicon self-aligned silicon bipolar transistor. Journal de Physique Colloques 49 (C4), S. 89-92.

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Zusammenfassung

The photo response of a standard high-speed self-aligned silicon bipolar transistor has been investigated. The photosignal of the base-collector diode is found to consist of at least two current components. Optical detection capabilities are demonstrated by excitation with modulated laser light at 830 nm wavelength up to data rates of 2.5Gbit/s.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:1988
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Wilhelm Prettl
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1051/jphyscol:1988418DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:18 Okt 2010 12:04
Zuletzt geändert:26 Nov 2012 12:47
Dokumenten-ID:17355
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