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Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells

Witzigmann, B. und Laino, V. und Luisier, M. und Schwarz, Uli und Feicht, Georg und Wegscheider, Werner und Engl, K. und Furitsch, M. und Leber, A. und Lell, A. und Härle, V. (2006) Microscopic analysis of optical gain in InGaN/GaN quantum wells. Applied Physics Letters 88, 021104.

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Zusammenfassung

A microscopic theory is used to analyze optical gain in InGaN/GaN quantum wells (QW). Experimental data are obtained from Hakki–Paoli measurements on edge-emitting lasers for different carrier densities. The simulations are based on the solution of the quantum kinetic Maxwell–Bloch equations, including many-body effects and a self-consistent treatment of piezoelectric fields. The results confirm ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Januar 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz
Projekte:Nanolux
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2164907DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:03
Dokumenten-ID:1767
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