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Theoretical study of interacting hole gas in p-doped bulk III-V semiconductors

Schliemann, John (2006) Theoretical study of interacting hole gas in p-doped bulk III-V semiconductors. Phys. Rev. B 74, 045214.

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Zusammenfassung

We study the homogeneous interacting hole gas in $p$-doped bulk III-V semiconductors. The structure of the valence band is modelled by Luttinger's Hamiltonian in the spherical approximation, giving rise to heavy and light hole dispersion branches, and the Coulomb repulsion is taken into account via a self-consistent Hartree-Fock treatment. As a nontrivial feature of the model, the self-consistent ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Grifoni > Arbeitsgruppe John Schliemann
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.74.045214DOI
cond-mat/0604585arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0604585Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:04
Dokumenten-ID:1789
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