Startseite UR

Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates

DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.1804
Engl, Karl ; Beer, Martin ; Gmeinwieser, Nikolaus ; Schwarz, Ulrich ; Zweck, Josef ; Wegscheider, Werner ; Miller, S. ; Miler, A. ; Lugauer, H. ; Brüderl, G. ; Lell, A. ; Härle, V.
[img]PDF
(479kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:33


Zusammenfassung

In this work we present a study on the influence of an in situ grown SiNx intermediate layer inside (Al)GaN epitaxial layers grown on SiC substrates on dislocation densities and material strain of the epitaxial films. A defect density of was achieved by reducing the number of pure edge dislocations in the order of one magnitude. It was found that a reduction of the dislocation density is only ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner