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Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates

Engl, Karl und Beer, Martin und Gmeinwieser, Nikolaus und Schwarz, Ulrich und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner und Miller, S. und Miler, A. und Lugauer, H. und Brüderl, G. und Lell, A. und Härle, V. (2006) Influence of an in situ-deposited SiN_x intermediate layer inside GaN and AlGaN layers on SiC substrates. Journal of Crystal Growth 289 (1), S. 6-13.

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Zusammenfassung

In this work we present a study on the influence of an in situ grown SiNx intermediate layer inside (Al)GaN epitaxial layers grown on SiC substrates on dislocation densities and material strain of the epitaxial films. A defect density of was achieved by reducing the number of pure edge dislocations in the order of one magnitude. It was found that a reduction of the dislocation density is only ...

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:März 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Ulrich Schwarz
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Projekte:Nanolux
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.jcrysgro.2005.10.115DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:05
Dokumenten-ID:1804
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