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Carrier-induced ferromagnetism in Ge(Mn,Fe) magnetic semiconductor thin-film structures

Gareev, Rashid und Bugoslavsky, Y. und Schreiber, R. und Paul, A. und Sperl, Matthias und Döppe, Matthias (2006) Carrier-induced ferromagnetism in Ge(Mn,Fe) magnetic semiconductor thin-film structures. Applied Physics Letters 88, S. 222508.

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Zusammenfassung

We report on the carrier-induced ferromagnetism in Ge(Mn,Fe) magnetic semiconductor insulating-type thin-film structures prepared using sequential deposition at Tg=520 K with subsequent annealing at Tg. In the resulting films Mn and Fe are diffused in the Ge matrix without compromising the epitaxial structure. The anomalous Hall effect serves as a manifestation of the carrier-induced ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Mai 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Günther Bayreuther
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2208552DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:05
Dokumenten-ID:1811
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