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Resonant tunneling magnetoresistance in antiferromagnetically coupled Fe-based structures with multilayered Si/Ge spacers

Gareev, Rashid und Weides, Martin und Schreiber, Reinert und Poppe, Ulrich (2006) Resonant tunneling magnetoresistance in antiferromagnetically coupled Fe-based structures with multilayered Si/Ge spacers. Applied Physics Letters 88, S. 172105.

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Zusammenfassung

We report on the experimental evidence of the tunneling magnetoresistance (TMR) effect near 3% and its inversion in strongly antiferromagnetically coupled Fe (001)/([Si(0.2 nm)/Ge(0.2 nm)]*5)/Fe epitaxial structures with diffused interfaces. We explain the inversion of TMR with biasing voltage by resonant tunneling across impurity states with weak spin split E${\approx}$10 meV and ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2198812DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:05
Dokumenten-ID:1812
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