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Proposal for all-electrical measurement of T1 in semiconductors

Zutic, Igor und Fabian, Jaroslav und Sarma, S. Das (2003) Proposal for all-electrical measurement of T1 in semiconductors. Applied Physics Letters 82 (2), S. 221-223.

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Zusammenfassung

In an inhomogeneously-doped magnetic semiconductor, spin relaxation time T1 can be determined by all-electrical measurements. Nonequilibrium spin injected in a magnetic p–n junction gives rise to the spin-voltaic effect, in which the nonequilibrium spin-induced charge current is very sensitive to T1 and can flow even at no applied bias. It is proposed that T1 can be determined by measuring the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:Januar 2003
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1536270#DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:06
Dokumenten-ID:1827
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