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Spin-Polarized Transport in Inhomogeneous Magnetic Semiconductors: Theory of Magnetic/Nonmagnetic p-n Junctions

Zutic, Igor und Fabian, Jaroslav und Sarma, S. Das (2002) Spin-Polarized Transport in Inhomogeneous Magnetic Semiconductors: Theory of Magnetic/Nonmagnetic p-n Junctions. Physical Review Letters 88 (6), 066603.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aps.org/abstract/PRL/v88/e066603


Zusammenfassung

A theory of spin-polarized transport in inhomogeneous magnetic semiconductors is developed and applied to magnetic/nonmagnetic p-n junctions. Several phenomena with possible spintronic applications are predicted, including spin-voltaic effect, spin valve effect, exponential and giant magnetoresistance. It is demonstrated that only nonequilibrium spin can be injected across the space-charge region of a p-n junction, so that there is no spin injection (or extraction) at low bias.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Februar 2002
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevLett.88.066603DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:06
Dokumenten-ID:1828
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