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Tunneling Anisotropic Magnetoresistance and Spin-Orbit Coupling in Fe/GaAs/Au Tunnel Junctions

Moser, Jürgen und Matos-Abiague, Alex und Schuh, Dieter und Wegscheider, Werner und Fabian, Jaroslav und Weiss, Dieter (2007) Tunneling Anisotropic Magnetoresistance and Spin-Orbit Coupling in Fe/GaAs/Au Tunnel Junctions. Physical Review Letters (PRL) 99 (5), 056601.

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Zusammenfassung

We report the observation of tunneling anisotropic magnetoresistance effect (TAMR) in the epitaxial metal-semiconductor system Fe/GaAs/Au. The observed two-fold anisotropy of the resistance can be switched by reversing the bias voltage, suggesting that the effect originates from the interference of the spin-orbit coupling at the interfaces. Corresponding model calculations reproduce the experimental findings very well.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Dezember 2007
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
cond-mat?papernum=0611406arXiv-ID
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://arxiv.org/abs/cond-mat?papernum=0611406Preprint
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:08
Dokumenten-ID:1892
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