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Theory of single electron spin relaxation in Si/SiGe lateral coupled quantum dots

Raith, Martin, Stano, Peter und Fabian, Jaroslav (2011) Theory of single electron spin relaxation in Si/SiGe lateral coupled quantum dots. Physical Review B (PRB) 83 (19), S. 195318.

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Andere URL zum Volltext: http://prb.aps.org/abstract/PRB/v83/i19/e195318, http://arxiv.org/abs/1101.3858


Zusammenfassung

We investigate the spin relaxation induced by acoustic phonons in the presence of spin-orbit interactions in single electron Si/SiGe lateral coupled quantum dots. The relaxation rates are computed numerically in single and double quantum dots, in in-plane and perpendicular magnetic fields. The deformation potential of acoustic phonons is taken into account for both transverse and longitudinal ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:13 Mai 2011
Institutionen:Physik > Institut für Theoretische Physik > Lehrstuhl Professor Richter > Arbeitsgruppe Jaroslav Fabian
Projekte:Spins in Silicon quantum dots
Themenverbund:Nicht ausgewählt
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.83.195318DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/fabian/Autor
Klassifikation:
NotationArt
03.67.Lx, 71.70.Ej, 72.25.Rb, 73.21.La, 73.22.Dj, 85.35.GvPACS
Stichwörter / Keywords:Silicon, Quantum dots, Spin Relaxation, Lifetime
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:21 Jan 2011 14:07
Zuletzt geändert:09 Dez 2016 10:56
Dokumenten-ID:19095
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