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Structure and electronic properties of SiO₂/Si multilayer superlattices: Si K edge and L₃,₂ edge x-ray absorption fine structure study

Sammynaiken, R. und Naftel, S. J und Sham, T. K. und Cheah, K. W. und Averboukh, B. und Huber, Rupert und Shen, Y. R. und Qin, G. G. und Ma, Z. C. und Zong, W. H. (2002) Structure and electronic properties of SiO₂/Si multilayer superlattices: Si K edge and L₃,₂ edge x-ray absorption fine structure study. Journal of Applied Physics 92 (6), S. 3000-3006.

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Zusammenfassung

We report an x-ray absorption fine structure study at the Si K and L3,2 edges of a series of Si/SiO2 superlattices (SL). The SL system comprises four periods of elemental silicon with a spacing of 1, 1.4, 2.2, and 2.6 nm sandwiched by a 1.5 nm silicon oxide and capped by a 3 nm silicon oxide layer. These systems exhibit electroluminescence and photoluminescence. X-ray absorption near edge ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2002
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Rupert Huber
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1501742DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:01 Feb 2011 11:17
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 16:50
Dokumenten-ID:19333
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