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Femtosecond buildup of screening and collective effects in photoexcited GaAs: How bare charges get dressed

Tauser, F. und Huber, Rupert und Brodschelm, A. und Bichler, M. und Abstreiter, G. und Leitenstorfer, A. (2002) Femtosecond buildup of screening and collective effects in photoexcited GaAs: How bare charges get dressed. In: 26th International Conference on the Physics in Semiconductors (ICPS 2002), 29. Juli - 2. August 2002, Edinburgh, Scotland.

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Dokumentenart:Konferenz- oder Workshop-Beitrag (Vortrag)
Datum:2002
Zusätzliche Informationen (Öffentlich):in press
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Rupert Huber
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Unbekannt / Keine Angabe
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2011 11:57
Zuletzt geändert:08 Feb 2011 11:57
Dokumenten-ID:19490
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