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Terahertz emission and absorption at lateral electric field in p-GaAsN/GaAs and n-GaAs/AlGaAs heterostructures

Shalygin, Vadim und Firsov, D. und Vorobjev, L. und Sofronov, A. und Panevin, V. und Kozlov, D. und Ganichev, Sergey und Danilov, Sergey und Andrianov, A. und Zakhar'in, A. und Zinov'ev, N. und Egorov, A. und Bondarenko, O. und Gladyshev, A. (2007) Terahertz emission and absorption at lateral electric field in p-GaAsN/GaAs and n-GaAs/AlGaAs heterostructures. Proc. 15th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, Novosibirsk, Russia. (Eingereicht)

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Eingereicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:12 Aug 2009 03:02
Dokumenten-ID:2138
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