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Spin-galvanic effect and spin orientation by current in non-magnetic semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-21406
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2140
Ganichev, Sergey
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:36


Zusammenfassung

The spin-galvanic effect and the inverse effect, which yeilds current induced spin polarization, in low dimensional semiconductor structures are reviewed. Both effect are caused by asymmetric spin relaxation in systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian.


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