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Local spin valve effect in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices

Ciorga, Mariusz und Wolf, Christian und Einwanger, Andreas und Utz, Martin und Schuh, Dieter und Weiss, Dieter (2011) Local spin valve effect in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices. AIP Advances 1 (2), S. 22113.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aip.org/link/doi/10.1063/1.3591397


Zusammenfassung

We report here on a local spin valve effect observed unambiguously in lateral all-semiconductor all-electrical spin injection devices, employing p+ −(Ga,Mn)As/n+ −GaAs Esaki diode structures as spin aligning contacts. We discuss the observed local spin-valve signal as a result of the interplay between spin-transport-related contribution and the tunneling anisotropic magnetoresistance of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:5 Mai 2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3591397DOI
Klassifikation:
NotationArt
85.30.Mn, 85.75.-d, 85.70.KhPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, gallium compounds, III-V semiconductors, spin polarised transport, spin valves, tunnel diodes, tunnelling magnetoresistance
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:11 Jul 2011 10:47
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 17:55
Dokumenten-ID:21452
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