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The Infrared Spin-Galvanic Effect in Semiconductor Quantum Wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-21582
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2158
Ganichev, Sergey
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37


Zusammenfassung

The spin-galvanic effect generated by homogeneous optical excitation with infrared circularly polarized radiation in quantum wells (QWs) is reviewed. The spin-galvanic current flow is driven by an asymmetric distribution of spin-polarized carriers in k-space of systems with lifted spin degeneracy due to k-linear terms in the Hamiltonian. Spin photocurrents provide methods to investigate the spin-splitting of the bandstructure and to make conclusion on the in-plane symmetry of QWs.


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