Startseite UR

Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-216173
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.21617
Jönen, H. ; Rossow, U. ; Bremers, H. ; Hoffmann, L. ; Brendel, M. ; Dräger, A. D. ; Schwaiger, S. ; Scholz, F. ; Thalmair, Johannes ; Zweck, Josef ; Hangleiter, A.
[img]
Vorschau
Lizenz: Allianz- bzw. Nationallizenz
PDF - Veröffentlichte Version
(593kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 25 Jul 2011 09:29



Zusammenfassung

We report on the optical properties of m-plane GaInN/GaN quantum wells (QWs). We found that the emission energy of GaInN QWs grown on m-plane SiC is significantly lower than on non-polar bulk GaN, which we attribute to the high density of stacking faults. Temperature and power dependent photoluminescence reveals that the GaInN QWs on SiC have almost as large internal quantum efficiencies as on ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner