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Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells

Jönen, H. und Rossow, U. und Bremers, H. und Hoffmann, L. und Brendel, M. und Dräger, A. D. und Schwaiger, S. und Scholz, F. und Thalmair, Johannes und Zweck, Josef und Hangleiter, A. (2011) Highly efficient light emission from stacking faults intersecting nonpolar GaInN quantum wells. Applied Physics Letters 99, 011901 .

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Zusammenfassung

We report on the optical properties of m-plane GaInN/GaN quantum wells (QWs). We found that the emission energy of GaInN QWs grown on m-plane SiC is significantly lower than on non-polar bulk GaN, which we attribute to the high density of stacking faults. Temperature and power dependent photoluminescence reveals that the GaInN QWs on SiC have almost as large internal quantum efficiencies as on ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2011
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3607301DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.66.FdPACS
61.72.NnPACS
78.55.CrPACS
Stichwörter / Keywords:gallium compounds, III-V semiconductors, indium compounds, photoluminescence, semiconductor quantum wells, stacking faults, wide band gap semiconductors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:25 Jul 2011 09:29
Zuletzt geändert:27 Okt 2016 08:42
Dokumenten-ID:21617
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