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Spin galvanic effect due to optical spin orientation in n-type GaAs quantum well structures

Ganichev, Sergey und Schneider, Petra und Belkov, Vassilij und Ivchenko, Eougenious und Tarasenko, Sergey und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter und Schuh, Dieter und Clarke, D. und Merrick, M. und Murdin, B. und Murzyn, P. und Phillips, P. und Pidgeon, C. und Beregulin, Eugene und Prettl, Wilhelm (2003) Spin galvanic effect due to optical spin orientation in n-type GaAs quantum well structures. Physical review B: Condensed matter and materials physics 68, 081302(R).

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/PRB_Rapid2003p08081302R_sge_optical.pdf


Zusammenfassung

Under oblique incidence of circularly polarized infrared radiation the spin-galvanic effect ~SGE! has been
unambiguously observed in ~001!-grown n-type GaAs quantum well structures in the absence of any external
magnetic field. Resonant intersubband transitions have been obtained making use of the tunability of the
free-electron laser FELIX. A microscopic theory of the SGE for intersubband transitions has been developed,
which is in good agreement with experimental findings.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.68.081302DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:15
Dokumenten-ID:2167
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