Circular photogalvanic effect in Si/Ge semiconductor quantum wells

URN zum Zitieren dieses Dokuments:: urn:nbn:de:bvb:355-epub-21968

Ganichev, Sergey ; Rössler, Ulrich ; Kalz, Franz-Peter ; Prettl, Wilhelm ; Neumann, Richard ; Brunner, Karl ; Abstreiter, Gerhard ; Ivchenko, Eougenious

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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37

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Dokumentenart:	Buchkapitel
ISBN:	1-558-99626-5
Titel eines Journals oder einer Zeitschrift:	MRS Symp. Proc. eds. T.J. Klemmer, J.S. Sun, A. Fert, and J. Bass
Buchtitel:	Materials Research Society symposium proceedings; 690
Verlag:	MRS
Ort der Veröffentlichung:	Warrendale, Pa.
Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels:	Sympos
Seitenbereich:	F3.11.1
Datum:	2002
Institutionen:	Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:	500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:	Veröffentlicht
Begutachtet:	Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:	Ja
Dokumenten-ID:	2196

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